我公司目前完成潔凈間建設，可提供各類微米級加工服務，為客戶的特殊需求提供訂制產品。具體包括：
光刻服務：利用紫外線曝光光刻膠，經顯影后形成與掩模具有相同或者互補的結構。擁有高精度光刻機，目前可靠加工精度<2微米，面積尺寸從小面積到標準4英寸，同時可為用戶提供光刻掩模的設計加工。
另外，我公司銷售光刻機系列產品，可根據科研經費和具體需求提供合適配置，詳情請具體咨詢。
光刻掩模
光刻微結構
軟光刻: 基于光刻和PDMS倒模工藝，根據用戶的具體設計，在基底上（硅片、玻璃）實現微流控芯片或其他器件的制作，以實現快速原型驗證。獨特的出入口一體化接口技術，實現可靠接入不漏液，省去繁瑣接入設計，方便使用。
微流體芯片
微流控芯片：采用精密CNC加工技術，可制作的微流控芯片包括：標準芯片，化學反應芯片，分析檢測芯片，液滴成型芯片，細胞分析芯片，濃度梯度芯片，電泳芯片等。
十字型芯片
S型芯片
T型芯片
多入口混合芯片
濃度梯度芯片
細胞分析芯片
旋涂技術：MEMS制造中的重要步驟，旋涂的好壞直接影響到光刻的效果和后續產品的質量。公司提供專業的旋涂技術，樣品涵蓋1cm，2到4英寸基底，旋涂均勻性好，粘附性高。
激光直寫：傳統的光刻工藝中所使用的掩膜板需要由專門供應商提供，在研發環境中，掩膜板的設計通常需要經常改變。激光直寫技術通過以軟件設計電子掩膜板的方法克服了這一問題。與通過物理掩膜板進行光照的傳統工藝不同，激光直寫是通過電腦控制一系列激光脈沖的開關，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖形。
電子束蒸鍍：電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料，是物理氣相沉積（PVD）的一種。與傳統蒸鍍方式不同，電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以精準地實現利用高能電子轟擊坩堝內靶材，使之蒸發為氣態進而沉積在基片上。電子束蒸鍍可以鍍出高純度高精度的薄膜。電子束蒸鍍與利用電阻進行蒸鍍最大的優勢在于：僅僅加熱鍍材，產生相對小的熱量，因此減少了對基底材料的加熱；電子束定位準確，可以避免坩堝材料的蒸發和污染。（注：電子束蒸鍍服務目前已暫停）
納米壓印：通過預制的壓印模板，在一定壓力下將圖形轉移到覆蓋有壓印膠的基底上，壓印膠通常是一層很薄的聚合物膜，通過熱壓或者紫外照射等方法使其結構硬化從而保留下轉移的圖形。整個過程包括壓印，脫模和刻蝕等三個主要過程。納米壓印技術突破了傳統光刻在特征尺寸減小過程中的難題，具有分辨率高、低成本、高產率的特點。
