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      一般情況下單通AAO模板孔的底部都有很厚的阻擋層，孔道與鋁基之間這次幾十到幾百納米厚的氧化鋁絕緣層使得電子無法穿越，即使采用交流電化學沉積都非常困難，更別提直流電化學沉積法了。近期我們公司成功開發出了薄阻擋層單通AAO模板，其阻擋層厚度在10nm以下。如此薄的阻擋層，其能量勢壘就比較低，在電化學沉積過程中，電子就很容易從鋁基穿過阻擋層。詳情請關注公司產品頁。