硅納米線陣列的制備-單通AAO模板的應用
單通AAO模板的應用——硅納米線陣列的制備
單通AAO模板的最大優勢之一就是可以實現大面積的制備，有望實現實現大面積低成本制備納米線陣列。單通AAO和超薄AAO模板的應用有許多類似之處，公司通過改進工藝制備的大面積超薄AAO可以在多種基底上轉移并用于各種納米材料的制備，其大面積的操作難度遠遠大于單通AAO。
圖1. Si納米線陣列的制備流程圖。（a）在AAO表先后沉積Ag和Au。（b）除去背面的鋁基、AAO層、多余的金屬納米顆粒，將Ag/Au多孔薄膜轉移到硅片表面。（c）實物照片。（d）結構示意圖。（e）（100）方向的Si片表面金屬輔助化學刻蝕（metal-assisted chemical etching, MaCE）制備Si納米線陣列。
2011年，韓國標準科學研究院的Woo Lee研究組利用AAO多孔結構（實際上他們使用的是雙通AAO模板的背面，而不是單通AAO，可能是因為雙通AAO模板的背面比AAO模板的正面更平整一些），通過優化金屬層技術，制備了高密度的Si納米線陣列。其基本流程如圖1所示，首先在單通AAO表面先后沉積Ag和Au層，然后除去背面的Al基、AAO膜和內壁金屬顆粒，然后采用HF/H2O2溶液進行金屬催化濕法刻蝕，進而得到Si納米線陣列。他們獲得的Si納米線陣列納米線的直徑分布繼承了AAO孔徑的均勻性，納米線的直徑在100nm以下。由于AAO易于實現大面積低成本制備，因此這種方法制備Si納米線陣列有望產業化應用。
參考文獻：
ACS Nano, 2011, 5, 3222-3229;
ACS Nano, 2011, 5, 5242-5248;
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